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SiA814DJ
Vishay Siliconix
MOSFET TYPICAL CHARACTERISTICS T A = 25 °C, unless otherwise noted
15
12
9
6
V GS = 10 thr u 3 V
5
4
3
2
T C = 25 °C
3
V GS = 2 V
1
T C = 125 °C
0
V GS = 1 V
0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.155
0.130
0.105
0.0 8 0
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
500
400
300
200
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.055
100
C oss
0.030
V GS = 10 V
0
C rss
0
3
6
9
12
15
0
10
20
30
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
6
I D = 4.3 A
V DS = 15 V
V DS = 24 V
1.6
1.4
1.2
I D = 3.3 A
V GS = 10 V , 4.5 V
V GS = 2.5 V
4
1.0
2
0
0. 8
0.6
0
2
4
6
8
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
www.vishay.com
4
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 68672
S-81176-Rev. A, 26-May-08
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